電気自動車の性能は、主にパワーエレクトロニクスのレイアウトによって決まります。コンパクトでありながら、効率的な電力変換を実現するコンポーネントが必要とされています。SiCまたはGaN技術に基づく次世代パワーエレクトロニクスは、より高い周波数と温度で動作することにより、効率化を高めます。当社の焼結タイプSMDは、裏面がメタライゼーションになっていることで、銀焼結プロセスを可能にします。そのため、既存の生産体制にシームレスに統合できます。表面の端子は絶縁されているため、熱源/ダイにセンサを自由に配置することができます。応答時間はより速く、より正確になります。表面のメタライゼーションは、最先端のAI太線ボンディングワイヤ用に対応するよう設計されています。

ヤゲオネクセンソスのソリューション

• 焼結またははんだ付けによる組み立て
• 熱源に近い位置で正確な測定と迅速な応答が可能
• 熱源/ダイに対し直接フリーポジショニング可能、絶縁された設計
• 標準ボンディングワイヤ (例: へレウス製 Al H11 Ø 300µm) による接続
• 白金技術の特性を活かし、長期安定性を備えた高精度な温度測定
• 使用温度範囲200 ℃以上（接合技術を考慮）

テクニカルデータ

焼結タイプSMDの仕様は以下の通り

• 温度係数 (TCR): 3850 ppm/K
• 温度範囲 -50 °C ～ +200 °C（以上）
• 白金(Pt)回路
• RoHS対応

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